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1.uvled發(fā)光機(jī)理：PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定的勢(shì)壘。 當(dāng)正向偏置電壓時(shí)勢(shì)壘減小時(shí)，P和N區(qū)域中的多數(shù)載流子彼此擴(kuò)散。 由于電子遷移率的遷移率遠(yuǎn)大于空穴的遷移率，因此大量電子將擴(kuò)散到P區(qū)，從而在P區(qū)中注入少數(shù)載流子。 這些電子與價(jià)帶中的空穴復(fù)合，并且在復(fù)合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結(jié)發(fā)光的原理。uvled光源
2，uvled發(fā)光效率：通常稱為組件的外部量子效率，是組件內(nèi)部的量子效率與組件的提取效率的乘積。 所謂的模塊內(nèi)部量子效率實(shí)際上就是模塊本身的電光轉(zhuǎn)換效率，這主要與模塊本身的特性（例如，模塊材料的能帶，缺陷和雜質(zhì)）有關(guān)。），勢(shì)壘晶體的組成和模塊的結(jié)構(gòu)。 組件的提取效率是指組件內(nèi)部生成的光子數(shù)，可以在組件自身吸收，折射和反射之后實(shí)際在組件外部進(jìn)行測(cè)量。 因此，與提取效率相關(guān)的因素包括成分材料本身的吸收，成分的幾何結(jié)構(gòu)，成分和包裝材料的折射率差以及成分結(jié)構(gòu)的散射特性。 組件內(nèi)部量子效率與組件提取效率的乘積是整個(gè)組件的發(fā)光效果，即組件外部量子效率。 早期組件開發(fā)的重點(diǎn)是改善其內(nèi)部量子效率。 主要方法是提高勢(shì)壘晶體的質(zhì)量，改變勢(shì)壘晶體的結(jié)構(gòu)，使電能不易轉(zhuǎn)化為熱量，間接提高了uvled的發(fā)光效率，從而獲得了70%的發(fā)光效率。 左右理論內(nèi)部量子效率，但這種內(nèi)部量子效率幾乎接近理論極限。 在這種情況下，僅通過增加模塊內(nèi)部量子效率就不可能增加模塊的總光量。 因此，提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 當(dāng)前的方法主要是：改變晶粒的外觀tip結(jié)構(gòu)，表面粗糙化技術(shù)。uv烤箱
3，uvled電氣特性：電流控制裝置，負(fù)載特性UI曲線類似于PN結(jié)，正向方向的很小變化導(dǎo)通電壓會(huì)引起正向電流的較大變化（指數(shù)級(jí)），反向漏電流非常小，反向擊穿電壓。 在實(shí)際使用中，應(yīng)該選擇它。uvled正向電壓隨著溫度的升高而變小，負(fù)溫度系數(shù)。uvled消耗功率，其中一部分被轉(zhuǎn)換為光能，這是我們所需要的。 其余部分轉(zhuǎn)化為熱量，從而提高了結(jié)溫。 散發(fā)的熱量（功率）可以表示為。 紫外線燈
4.uvled光學(xué)特性：uvled提供具有大半角的單色光。 由于半導(dǎo)體的能隙隨溫度的升高而減小，因此半導(dǎo)體發(fā)射的峰值波長(zhǎng)隨溫度的升高而增加，即光譜紅移，溫度系數(shù)為+ 2?3A /。uvled發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加，發(fā)光亮度也大約增加。 另外，發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。 當(dāng)環(huán)境溫度高時(shí)，復(fù)合效率降低并且發(fā)光強(qiáng)度降低。5.uvled熱學(xué)特性：小電流下LED溫升不明顯。 如果環(huán)境溫度高，主波長(zhǎng)uvled將發(fā)生紅移，亮度會(huì)降低，并且光的均勻性和均勻性會(huì)降低。 尤其是，點(diǎn)矩陣和大型顯示屏的溫度上升對(duì)LED的可靠性和穩(wěn)定性具有更大的影響。 因此散熱設(shè)計(jì)非常重要。
6，uvled壽命：uvled長(zhǎng)時(shí)間工作會(huì)由于光衰減而導(dǎo)致老化，特別是對(duì)于高功率的uvled，光衰減的問題更加嚴(yán)重。 測(cè)量uvled的壽命時(shí)，僅將燈的損壞視為uvled壽命的終點(diǎn)是不夠的。LED的壽命應(yīng)由uvled的光衰減百分比（例如35%）指定，這更有意義。
7。 大功率uvled包裝：主要考慮散熱和發(fā)光。 關(guān)于散熱，請(qǐng)使用銅基熱襯，然后連接至鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過焊接連接。 這種散熱方法效果更好，性價(jià)比更高。 在發(fā)光方面，采用倒裝芯片技術(shù)，在底部和側(cè)面增加反射面以反射浪費(fèi)的光能，從而可以獲得更多的消光光。